技術(shù)資源
鍍膜高壓電源的成膜均勻性調(diào)控：技術(shù)原理與工藝優(yōu)化路徑
摘要：本文系統(tǒng)探討了物理氣相沉積（PVD）工藝中高壓電源參數(shù)對(duì)薄膜均勻性的影響機(jī)制，基于電磁場動(dòng)力學(xué)與等離子體輸運(yùn)理論，提出多參數(shù)協(xié)
450kV高壓電源過壓保護(hù)設(shè)計(jì)的跨學(xué)科優(yōu)化策略
一、超高電壓工況下的過壓風(fēng)險(xiǎn)譜系450kV級(jí)高壓電源在工業(yè)加速器、直流輸電等場景中面臨四類過壓威脅：1 瞬態(tài)反射過壓： 長距離電纜（&ge
225kV高壓電源動(dòng)態(tài)負(fù)載響應(yīng)的關(guān)鍵技術(shù)突破
一、動(dòng)態(tài)負(fù)載響應(yīng)的工程定義與核心指標(biāo)在脈沖功率與電網(wǎng)模擬領(lǐng)域，225kV級(jí)高壓電源的動(dòng)態(tài)負(fù)載響應(yīng)能力指其在微秒至秒級(jí)時(shí)間尺度內(nèi)應(yīng)對(duì)負(fù)載
160kV高壓電源脈沖平頂特性的關(guān)鍵技術(shù)研究
一、脈沖平頂特性的工程定義與挑戰(zhàn)160kV級(jí)高壓電源的脈沖平頂特性指輸出電壓在脈沖持續(xù)期內(nèi)（典型值10μs-10ms）的穩(wěn)定度，其技術(shù)指標(biāo)包
E-Chuck高壓電源抗靜電擊穿能力的工程優(yōu)化研究
一、靜電擊穿機(jī)理與失效模式在半導(dǎo)體晶圓加工中，E-Chuck系統(tǒng)需持續(xù)施加0 5-10kV偏置電壓以產(chǎn)生靜電吸附力，其高壓電源面臨三個(gè)層級(jí)的擊穿
通道電子倍增器高壓電源的脈沖計(jì)數(shù)應(yīng)用研究
一、系統(tǒng)工作原理與技術(shù)特征通道電子倍增器（CEM）作為高能粒子探測的核心器件，其性能直接依賴于高壓電源的脈沖輸出特性。該系統(tǒng)通過施加1
微通道板探測器高壓電源的增益穩(wěn)定性控制技術(shù)研究
一、增益穩(wěn)定性對(duì)探測器性能的關(guān)鍵影響微通道板（MCP）探測器的增益（G）與高壓電源（HVPS）的電壓穩(wěn)定性呈指數(shù)關(guān)系：G ∝ V^N（N=8-